温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

VN2210N2

1个N沟道耐压:100V 电流:1.7A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: VN2210N2
商品编号: C633261
商品封装: TO-39-3
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

VN2210是一款增强型（常开）晶体管，采用垂直双扩散金属氧化物半导体（DMOS）结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使该器件兼具双极晶体管的功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有MOS结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象。垂直DMOS场效应晶体管（FET）非常适合用于需要高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。

商品特性

无二次击穿
低功率驱动要求
易于并联
低输入电容（CISS）和快速开关速度
出色的热稳定性
集成源漏二极管
高输入阻抗和高增益

应用领域

电机控制
转换器
放大器
开关
电源电路
驱动器（继电器、锤击器、螺线管、灯、存储器、显示器、双极晶体管等）

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	100V
	连续漏极电流(Id)	-
	导通电阻(RDS(on))	-
	耗散功率(Pd)	-

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2.4V
	栅极电荷量(Qg)	-
	输入电容(Ciss)	500pF@25V
	反向传输电容(Crss)	65pF@25V
	工作温度	-55℃~+150℃@(Ta)
	配置	-