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VN0808L-G
1个N沟道 耐压:80V 电流:300mA
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- VN0808L-G
- 商品编号
- C632598
- 商品封装
- TO-92-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.376667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些双N沟道和P沟道增强型功率场效应晶体管采用安森美半导体先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别优化，可最大限度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。这些器件非常适合需要低在线功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。
商品特性
- 无二次击穿
- 低功率驱动要求
- 易于并联
- 低输入电容(Ciss)和快速开关速度
- 出色的热稳定性
- 内置源 - 漏二极管
- 高输入阻抗和高增益
应用领域
-电机控制-转换器-放大器-开关-电源电路-驱动器(继电器、锤击器、螺线管、灯、存储器、显示器、双极晶体管等)