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VP2450N3-G
1个P沟道 耐压:500V 电流:100mA
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- VP2450N3-G
- 商品编号
- C632611
- 商品封装
- TO-92-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30Ω@10V,100mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 740mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 190pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
VP2450是一款低阈值、增强型（常关）晶体管，采用垂直双扩散金属氧化物半导体（DMOS）结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使该器件兼具双极晶体管的功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数特性。作为所有MOS结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象。
这款垂直DMOS场效应晶体管（FET）非常适合广泛的开关和放大应用，这些应用需要极低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。
商品特性
- 无二次击穿
- 低功率驱动要求
- 易于并联
- 低输入电容（CISS）和快速开关速度
- 高输入阻抗和高增益
- 出色的热稳定性
- 集成源漏二极管
应用领域
- 电机控制-转换器-放大器-开关-电源电路-驱动器:继电器、锤击器、螺线管、灯、存储器、显示器、双极晶体管等