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VP0808L-G
1个P沟道 耐压:80V 电流:1.1A
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- 描述
- 该增强型（常关）晶体管采用垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有 MOS 结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象。适用于需要非常低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- VP0808L-G
- 商品编号
- C632609
- 商品封装
- TO-92
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 3.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V,1A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 150pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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