VN1206L-G
1个N沟道 耐压:120V 电流:230mA
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- VN1206L-G
- 商品编号
- C632600
- 商品封装
- TO-92-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 230mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@10V,500mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 输入电容(Ciss) | 125pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
40N06采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于各种应用场景。
商品特性
- 先进的沟槽技术
- 出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷
- 漏源电压（VDS） = 60 V
- 漏极电流（ID） = 40 A（栅源电压（VGS） = 10 V时）
- 漏源导通电阻（RDS(ON)） < 14 mΩ（栅源电压（VGS） = 10 V时）
- 漏源导通电阻（RDS(ON)） < 16 mΩ（栅源电压（VGS） = 4.5 V时）
- 获得无铅产品认证