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VN3205N3-G
1个N沟道 耐压:50V 电流:1.2A
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- VN3205N3-G
- 商品编号
- C632605
- 商品封装
- TO-92-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些N沟道增强型功率MOSFET采用先进的沟槽技术设计，具备出色的漏源导通电阻和低栅极电荷，符合RoHS标准。
商品特性
- 无二次击穿
- 低功率驱动要求
- 易于并联
- 低输入电容(C\text ISS )和快速开关速度
- 出色的热稳定性
- 集成源 - 漏二极管
- 高输入阻抗和高增益
应用领域
- 电机控制
- 转换器、放大器和开关
- 电源电路
- 驱动器(继电器、锤击器、螺线管、灯具、存储器、显示器、双极晶体管等)