我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐合作库存PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
TP2540N3-G实物图
  • TP2540N3-G商品缩略图
  • TP2540N3-G商品缩略图
  • TP2540N3-G商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TP2540N3-G

1个P沟道 耐压:400V 电流:86mA

商品型号
TP2540N3-G
商品编号
C632590
商品封装
TO-92-3​
包装方式
袋装
商品毛重
0.46克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)400V
连续漏极电流(Id)2.4A
导通电阻(RDS(on))25Ω@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)740mW
阈值电压(Vgs(th))2.4V
输入电容(Ciss)125pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

TP2540 低阈值增强型(常关)晶体管采用垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合造就了一种兼具双极晶体管功率处理能力以及 MOS 器件固有高输入阻抗和正温度系数的器件。作为所有 MOS 结构的特性,该器件不会出现热失控和热致二次击穿。

微芯科技(Microchip)的垂直 DMOS FET 非常适合各种需要极低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的开关和放大应用。

商品特性

  • 最大低阈值 2.4V
  • 高输入阻抗
  • 低输入电容 60 pF
  • 快速开关速度
  • 低导通电阻
  • 无二次击穿
  • 低输入和输出泄漏

应用领域

  • 逻辑电平接口(适用于 TTL 和 CMOS)
  • 固态继电器
  • 电池供电系统
  • 光伏驱动器
  • 模拟开关
  • 通用线路驱动器
  • 电信开关

数据手册PDF