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TP2635N3-G
1个P沟道 耐压:350V 电流:180mA
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- TP2635N3-G
- 商品编号
- C632591
- 商品封装
- TO-92-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 350V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15Ω@10V,300mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
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