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TN2540N3-G
1个N沟道 耐压:400V 电流:1A
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- 描述
- 使用垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺，结合了双极晶体管的功率处理能力和 MOS 器件固有的高输入阻抗及正温度系数。具备 MOS 结构的特性，无热失控和热致二次击穿问题。
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- TN2540N3-G
- 商品编号
- C632582
- 商品封装
- TO-92-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.23克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8Ω@10V,500mA | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 输入电容(Ciss) | 125pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
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