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TN5325N3-G
1个N沟道 耐压:250V 电流:215mA
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- TN5325N3-G
- 商品编号
- C632584
- 商品封装
- TO-92-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 215mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 7Ω@10V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 740mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 输入电容(Ciss) | 110pF@25V |
商品概述
TN5325是一款低阈值、增强型（常关）晶体管，采用垂直双扩散金属氧化物半导体（DMOS）结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使该器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有MOS结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。
微芯科技（Microchip）的垂直DMOS场效应晶体管（FET）非常适合广泛的开关和放大应用，这些应用需要极低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。
商品特性
- 低阈值（最大2V）
- 高输入阻抗和高增益
- 无二次击穿
- 低输入电容（CISS）和快速开关速度
应用领域
- 逻辑电平接口(适用于TTL和CMOS)-固态继电器-电池供电系统-光伏驱动器-模拟开关-通用线路驱动器-电信开关