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TP0604N3-G
1个P沟道 耐压:40V 电流:430mA
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- 描述
- 使用垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺，结合了双极晶体管的功率处理能力和 MOS 器件固有的高输入阻抗与正温度系数。具有无热失控和热致二次击穿的特点，非常适合需要极低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- TP0604N3-G
- 商品编号
- C632585
- 商品封装
- TO-92-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 430mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 740mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 输入电容(Ciss) | 150pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 85pF |
商品概述
TP0604低阈值增强型（常开）晶体管采用垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有MOS结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。
微芯科技（Microchip）的垂直DMOS场效应晶体管非常适合广泛的开关和放大应用，这些应用需要极低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。
商品特性
- 最大低阈值2.4V
- 高输入阻抗
- 低输入电容(95pF)
- 快速开关速度
- 低导通电阻
- 无二次击穿
- 低输入和输出泄漏电流
应用领域
- 逻辑电平接口(适用于TTL和CMOS)
- 固态继电器
- 电池供电系统
- 光伏驱动器
- 模拟开关
- 通用线路驱动器
- 电信开关