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TP2104N3-G
1个P沟道 耐压:40V 电流:1.6A
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- TP2104N3-G
- 商品编号
- C632588
- 商品封装
- TO-92-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.32克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@10V,500mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 740mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 60pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
TP2104 低阈值增强型（常关）晶体管采用垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合造就了一款兼具双极晶体管功率处理能力以及 MOS 器件固有高输入阻抗和正温度系数特性的器件。作为所有 MOS 结构的特点，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象。
Microchip 的垂直 DMOS FET 非常适合广泛的开关和放大应用，这些应用需要极低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。
商品特性
- 高输入阻抗和高增益
- 低功率驱动要求
- 易于并联
- 低输入电容（CISS）和快速开关速度
- 出色的热稳定性
- 集成源 - 漏二极管
- 无二次击穿
应用领域
- 逻辑电平接口(适用于 TTL 和 CMOS)-固态继电器-模拟开关-电源管理-电信开关