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LND150N3-G
1个N沟道 耐压:500V
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- 描述
- 是高压 N 沟道耗尽型（常开）晶体管，采用横向 DMOS 技术，栅极具备 ESD 保护。非常适合在常开开关、精密恒流源、电压斜坡生成和放大等高压应用领域使用。
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- LND150N3-G
- 商品编号
- C631704
- 商品封装
- TO-92
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.96克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1kΩ@0V,0.5mA | |
| 耗散功率(Pd) | 740mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 10pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
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