温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VP3203N8-G
1个P沟道 耐压:30V 电流:4A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款低阈值、增强型（常关）晶体管采用垂直双扩散金属氧化物半导体（DMOS）结构和Supertex久经考验的硅栅制造工艺。这种结合造就了一款兼具双极晶体管功率处理能力以及MOS器件固有高输入阻抗和正温度系数特性的器件。作为所有MOS结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- VP3203N8-G
- 商品编号
- C629232
- 商品封装
- SOT-89-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V,3A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款低阈值、增强型（常关）晶体管采用垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）结构和成熟的硅栅制造工艺。这种组合造就了一种兼具双极晶体管功率处理能力以及MOS器件固有高输入阻抗和正温度系数特性的器件。作为所有MOS结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象。
垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOS FET）非常适合各种开关和放大应用，这些应用需要极低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。
商品特性
- 无二次击穿
- 低功率驱动要求
- 易于并联
- 低输入电容（Ciss）和快速开关速度
- 高输入阻抗和高增益
- 出色的热稳定性
- 集成源漏二极管
应用领域
- 电机控制-转换器-放大器-开关-电源电路-驱动器(继电器、锤击器、螺线管、灯具、存储器、显示器、双极晶体管等)