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LP0701LG-G
1个P沟道 耐压:16.5V 电流:1.25A
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- 描述
- P-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET使用横向MOS结构和成熟的硅栅制造工艺，结合了双极晶体管的功率处理能力和MOS器件的高输入阻抗及正温度系数特性。该器件无热失控和热致二次击穿问题，低阈值电压和低导通电阻特性适用于手持和电池供电应用。
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- LP0701LG-G
- 商品编号
- C622921
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.26克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 16.5V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7Ω@3V,150mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV | |
| 输入电容(Ciss) | 250pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
LP0701增强型（常关）晶体管采用横向MOS结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使得该器件兼具双极晶体管的功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数特性。作为所有MOS结构的共性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象。 低阈值电压和低导通电阻特性使其非常适合手持设备和电池供电应用。
商品特性
~~- 超低阈值-高输入阻抗-低输入电容-快速开关速度-低导通电阻-无二次击穿-低输入和输出泄漏电流
应用领域
- 逻辑电平接口-固态继电器-电池供电系统-光伏驱动器-模拟开关-通用线路驱动器