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NTB082N65S3F
1个N沟道 耐压:650V 电流:40A
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- 描述
- SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此先进技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET 适用于各种电源系统，实现系统小型化和更高能效。SUPERFET III FRFET MOSFET 优化的体二极管逆向恢复性能可以消除附加组件，提高系统可靠性。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTB082N65S3F
- 商品编号
- C604390
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.44克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 313W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 81nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.41nF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
优惠活动
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