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NSVT65010MW6T1G
PNP 电流:100mA 电压:65V
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- 描述
- 这些晶体管采用超小 SOT-363 封装，适用于便携式产品。对其进行组装可产生一对高度匹配所有参数的器件，无需成本高昂的微调。应用包括电流镜像、差分感应和平衡放大器、混音器、检测器和限制器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NSVT65010MW6T1G
- 商品编号
- C604388
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 65V | |
| 耗散功率(Pd) | 380mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 150@10uA,5.0V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 100MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 15nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 2个PNP |
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