PCP1208-TD-H
PCP1208-TD-H
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- PCP1208-TD-H
- 商品编号
- C604667
- 商品封装
- TO-243AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.138克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 700mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 200V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 200@100mA,5V | |
| 特征频率(fT) | 120MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 1uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 115mV@350mA,35mA | |
| 工作温度 | - |
商品特性
- 集电极-发射极电压（VCEO）=200V，集电极电流（IC）=0.7A
- 允许功耗高
- 符合无卤标准
- 集电极-发射极饱和电压低，VCE(sat) = 0.115V（典型值），@IC=0.35A
- 高速开关，下降时间（tf）=70ns（典型值），@IC=0.3A