温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NIV2161MTTAG
ESD 5V截止
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- NIS/NIV2161旨在保护高速数据线免受静电放电（ESD）影响，并能应对与车辆电池短路的情况。超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案，而低导通电阻（RDS(on)）场效应晶体管（FET）可限制信号线上的失真。直插式封装便于进行印刷电路板（PCB）布局，并能匹配走线长度，这对于维持高速差分线（如USB和LVDS协议）之间的恒定阻抗至关重要
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NIV2161MTTAG
- 商品编号
- C604156
- 商品封装
- WDFN-10(2x3.5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.094克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 5V | |
| 钳位电压 | 26V | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | - | |
| 击穿电压 | 16.5V | |
| 反向电流(Ir) | 1uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 通道数 | 双路 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 0.4pF |
商品概述
NIS/NIV2161旨在保护高速数据线免受静电放电（ESD）影响，同时也能应对与车辆电池短路的情况。超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护电压敏感高速数据线的理想解决方案，而低导通电阻（RDS(on)）场效应晶体管（FET）则可限制信号线上的失真。直插式封装便于PCB布局，并能实现匹配的走线长度，这对于维持高速差分线（如USB和LVDS协议）之间的恒定阻抗至关重要。
商品特性
- 低电容（典型值0.40 pF，I/O到地）
- 符合以下标准的保护：IEC 61000 - 4 - 2（4级）和ISO 10605
- 集成MOSFET，用于电池短路和接地短路保护
- NIV前缀适用于汽车和其他有独特产地及控制变更要求的应用；符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），并符合RoHS标准
应用领域
- 汽车高速信号对
- USB 2.0/3.0
- LVDS
- AXI 2/3