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SZESD7410N2T5G
ESD 8V截止 峰值浪涌电流：5A@8/20us
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- 描述
- ESD7410旨在保护需要超低电容的电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。它在不同电压下具有业界领先的电容线性度，非常适合射频（RF）应用。这种电容线性度与极小的封装和低插入损耗相结合，使该器件非常适合用于无线手机和终端的天线线路应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SZESD7410N2T5G
- 商品编号
- C604772
- 商品封装
- X2DFN-2(0.6x1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.007克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 8V | |
| 钳位电压 | 20V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 5A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | - | |
| 击穿电压 | 10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 1uA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 1pF |
商品概述
ESD7410旨在保护需要超低电容的电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。它在不同电压下具有业界领先的电容线性度，非常适合射频（RF）应用。这种电容线性度与极小的封装和低插入损耗相结合，使该器件非常适合用于无线手机和终端的天线线路应用。
商品特性
- 超低电容：最大<1.0 pF
- 业界领先的电压电容线性度
- 插入损耗：1 GHz时为0.1 dB；3 GHz时为0.3 dB
- 低泄漏电流：<1 μA
- IEC61000 - 4 - 2（ESD）：4级±30 kV接触放电
- ISO 10605（ESD）330 pF/2 kΩ±30 kV接触放电
- SZESD7410MXWT5G - 可焊侧翼封装，便于自动光学检测（AOI）
- SZ前缀适用于汽车及其他需要特定产地和控制变更要求的应用；符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准
应用领域
- 射频信号ESD保护
- 有源天线ESD保护
- 近场通信
优惠活动
购买数量
(8000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个8000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交10单