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SZESD7241N2T5G
ESD 24V截止
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- 描述
- ESD7241旨在保护需要超低电容的电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。它在不同电压下具有行业领先的电容线性度，非常适合射频（RF）应用。这种电容线性度与极小的封装和低插入损耗相结合，使其非常适合用于无线手机和终端的天线线路应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SZESD7241N2T5G
- 商品编号
- C604770
- 商品封装
- X2DFN-2(0.6x1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.048克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 24V | |
| 钳位电压 | 48V | |
| 击穿电压 | 24.3V | |
| 反向电流(Ir) | 500nA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-5；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 1pF |
商品概述
ESD7241旨在保护需要超低电容的电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。它在不同电压下具有业界领先的电容线性度，非常适合射频（RF）应用。这种电容线性度与极小的封装和低插入损耗相结合，使其非常适合用于无线手机和终端的天线线路应用。
商品特性
- 业界领先的电压电容线性度
- 超低电容：最大 < 1.0 pF
- 插入损耗：1 GHz 时为 0.15 dB；3 GHz 时为 0.60 dB
- 低泄漏电流：< 0.5 μA
- 符合以下 IEC 标准的保护：
- IEC61000-4-2（ESD）：4 级 ± 28 kV 接触放电
- IEC61000-4-4（EFT）：40 A - 5 / 50 ns
- IEC61000-4-5（雷击）：2.5 A（8 / 20 μs）
- SZESD7241MXWT5G - 可焊侧翼封装，便于进行最佳自动光学检测（AOI）
- SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q101 标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），并符合 RoHS 标准
应用领域
- RF 信号 ESD 保护
- 近场通信
- USB 3.x Vbus 保护