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NLAS3899BMNTXG
NLAS3899BMNTXG
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- 描述
- 是一款双DPDT模拟开关，适用于低功耗音频和双SIM卡应用。低导通电阻3.0Ω（典型值），非常适合将音频信号路由到中等高阻抗负载或从中路由音频信号。此外，低导通电容20pF（典型值）使该开关具有280 MHz的高带宽，非常适合双SIM卡应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NLAS3899BMNTXG
- 商品编号
- C604177
- 商品封装
- QFN-16-EP(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135271克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 模拟开关/多路复用器 | |
| 开关电路 | 2:1 | |
| 通道数 | 4 | |
| 工作电压 | 1.65V~4.3V | |
| 导通时间(ton) | 40ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(Ron) | 3Ω | |
| 关闭时间(toff) | 30ns | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 导通电容(Con) | 20pF | |
| 带宽 | 280MHz |
商品概述
NLAS3899B是一款双DPDT模拟开关，专为低功耗音频和双SIM卡应用而设计。其典型导通电阻低至3.0 Ω，非常适合在中等高阻抗负载之间路由音频信号。此外，典型20 pF的输出电容使NLAS3899B具备280 MHz的高带宽，非常适合双SIM卡应用。
商品特性
- 单电源工作，VCC范围为1.65至4.3 V，可直接由锂离子电池供电
- 低导通电阻（在整个VCC范围内典型值为3.0 Ω）
- 低输出电容（典型值为20 pF）
- 带宽280 MHz
- 最大击穿电压：5.5 V
- 低静态功耗
- 可与1.8 V芯片组接口
- 这些器件为无铅产品
应用领域
- 手机扬声器/麦克风切换
- 铃声芯片/放大器切换
- 双SIM卡数据切换
- 四个不平衡（单端）开关
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
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