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AP180N03G
1个N沟道 耐压:30V 电流:180A
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- 描述
- 特性：30V, 180A。RDS(ON) = 1.7mΩ (Typ.) @ VGS = 10V。RDS(ON) = 3.2mΩ (Typ.) @ VGS = 4.5V。低总栅极电荷。低反向传输电容。改善的dv/dt能力。应用：负载开关PWM应用
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- AP180N03G
- 商品编号
- C5443711
- 商品封装
- PDFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.198克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7mΩ@10V；3.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 130W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 420pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 720pF |
商品概述
先进功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 PMPAK 5 x 6封装专为DC-DC转换器应用而设计，背面带有散热器，高度仅1.0mm。
商品特性
- 30V、180A
- RDS(ON) = 1.7 mΩ(典型值),@ VGS=10V
- RDS(ON) = 3.2 mΩ(典型值),@ VGS=4.5V
- 低总栅极电荷
- 低反向传输电容
- 改善的dv/dt能力
- 快速开关速度
应用领域
- 负载开关
- PWM应用