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IRF7313QTRPBF-VB
2个N沟道 耐压:30V 电流:6.8A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款双路N+N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于中功率功率控制和开关应用，中功率电子设备的功率开关和控制模块。SOP8；2个N—Channel沟道,30V；6.8A；RDS(ON)=22mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRF7313QTRPBF-VB
- 商品编号
- C5438939
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V；26mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 586pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 117pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 双N沟道MOSFET
- 低导通电阻
- 极低的栅极阈值电压，最大1.0V
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 超小表面贴装封装，尺寸为1mm x 1mm
- 低封装高度，最大封装高度0.45mm
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑，为“绿色”器件
- 通过AEC-Q101标准认证，具备高可靠性
- 可提供生产件批准程序（PPAP）文件
应用领域
- 通用接口开关-电源管理功能-DC-DC转换器-模拟开关
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