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IRLI3803PBF-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:140A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N型场效应管，采用Trench技术，适用于电源模块、逆变器、超级电容器充放电模块等领域。TO220F；N—Channel沟道,30V；140A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRLI3803PBF-VB
- 商品编号
- C5438949
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V；5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA；2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 171nC@10V；81.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.765nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21标准的无卤产品
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 笔记本电脑CPU核心——高端开关
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