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RTR025N05TL-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:6.5A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- RTR025N05TL-VB
- 商品编号
- C5438956
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V；33mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 335pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC - Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：发动机管理系统、车身控制电子设备、DC - DC转换器。
商品特性
- 额定温度达+175°C，适用于高环境温度环境
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关（UIS）测试，确保最终应用更可靠、更耐用
- 散热高效的封装，使应用运行时温度更低
- 高转换效率
- 低导通电阻RDS(ON)，将导通状态损耗降至最低
- 封装高度小于1.1mm，适用于轻薄型应用
- 无铅表面处理，符合RoHS标准
- 无卤素和锑，为“绿色”器件
- DMTH41M8SPSQ适用于需要特定变更控制的汽车应用；该产品符合AEC - Q101标准，具备PPAP能力，且在通过IATF 16949认证的工厂生产。
应用领域
- 发动机管理系统-车身控制电子设备-DC-DC转换器