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Si3407DV-T1-GE3-VB
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.8A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- Si3407DV-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C5438958
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 450pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 63pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 最高结温 175 °C
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC