IRLL3303TRPBF-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:7A
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款单N型Trench技术MOSFET,适用于电源管理模块、电机驱动器、照明控制模块等领域。SOT223;N—Channel沟道,30V;7A;RDS(ON)=19mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=0.5~1.5V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRLL3303TRPBF-VB
- 商品编号
- C5438951
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 295pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 67pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- N沟道MOSFET
- MDV1595SURH-VB
- MTD2955ET4G-VB
- NDS8434A-NL-VB
- RRS130N03-TB-VB
- RTR025N05TL-VB
- SI2301CDS-T1-GE3-VB
- Si3407DV-T1-GE3-VB
- SI4410BDY-T1-E3-VB
- SI4420BDY-T1-E3-VB
- SI6423DQ-T1-E3-VB
- SI9410BDY-T1-E3-VB
- SM4305PSKC-TRG-VB
- SPN3400S23RGB-VB
- TK40P04M1-VB
- ZXMN6A25DN8TA-VB
- AM60N10-13D-T1-PF-VB
- 1201-00007
- 1201-00034
- 1202-00004
- 1202-00008
- 1202-00009


