温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRFR3709ZTRPBF-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:35.8A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRFR3709ZTRPBF-VB
- 商品编号
- C5438945
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V；3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 151nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 770pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.525nF |
商品特性
- 沟槽型功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合欧盟RoHS指令2011/65/EU
应用领域
- 或门二极管功能(OR-ing)
- 服务器
- 直流-直流(DC/DC)转换器
相似推荐
其他推荐
- IRFR9010TRPBF-VB
- IRFU3410PBF-VB
- IRL540NSPBF-VB
- IRLI3803PBF-VB
- IRLL2705TRPBF-VB
- IRLL3303TRPBF-VB
- MDV1595SURH-VB
- MTD2955ET4G-VB
- NDS8434A-NL-VB
- RRS130N03-TB-VB
- RTR025N05TL-VB
- SI2301CDS-T1-GE3-VB
- Si3407DV-T1-GE3-VB
- SI4410BDY-T1-E3-VB
- SI4420BDY-T1-E3-VB
- SI6423DQ-T1-E3-VB
- SI9410BDY-T1-E3-VB
- SM4305PSKC-TRG-VB
- SPN3400S23RGB-VB
- TK40P04M1-VB
- ZXMN6A25DN8TA-VB