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IRFR3709ZTRPBF-VB实物图
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IRFR3709ZTRPBF-VB

1个N沟道 耐压:30V 电流:35.8A

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描述
台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRFR3709ZTRPBF-VB
商品编号
C5438945
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.4克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)35.8A
导通电阻(RDS(on))2mΩ@10V；3mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)3.75W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)151nC@10V
输入电容(Ciss)520pF@15V
反向传输电容(Crss)770pF@15V
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.525nF

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