IRFU3410PBF-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:35A
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- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款单路N型场效应晶体管,采用Trench工艺,适合用于家用电器模块中的功率开关器件、照明模块中的功率开关器件等领域。TO251;N—Channel沟道,100V;35A;RDS(ON)=36mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRFU3410PBF-VB
- 商品编号
- C5438947
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.833克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 96W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 500pF |
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