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IRF7842TRPBF-VB
1个N沟道 耐压:40V 电流:18A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于需要中等功率、中等电流的电子系统，如电源管理、LED驱动和汽车电子等领域的模块中。SOP8；N—Channel沟道,40V；18A；RDS(ON)=3.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRF7842TRPBF-VB
- 商品编号
- C5438941
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.286克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V；5.7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V；8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 985pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 205pF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适用于：电机控制、电源管理功能
商品特性
- 双N沟道MOSFET
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 超小型表面贴装封装
- 栅极具备静电放电（ESD）保护
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑，为“绿色”器件
应用领域
- 电机控制
- 电源管理功能
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