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IRF7842TRPBF-VB
1个N沟道 耐压:40V 电流:18A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于需要中等功率、中等电流的电子系统，如电源管理、LED驱动和汽车电子等领域的模块中。SOP8；N—Channel沟道,40V；18A；RDS(ON)=3.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRF7842TRPBF-VB商品编号
C5438941商品封装
SOP-8包装方式
编带
商品毛重
0.286克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.5mΩ@10V |
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