IRFR3709ZCTRPBF-VB

1个N沟道 耐压:30V 电流:100A

描述

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

IRFR3709ZCTRPBF-VB

商品编号

C5438944

商品封装

TO-252​

包装方式

编带

商品毛重

0.5克(g)