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IRFR110TRPBF-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:15A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N型场效应管，适用于多种应用场景，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、家用电器控制、工业自动化控制等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；15A；RDS(ON)=114mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRFR110TRPBF-VB
- 商品编号
- C5438942
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 96W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 最高结温 175 °C
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
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