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IRFR13N20DTRPBF-VB
1个N沟道 耐压:200V 电流:30A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N型场效应管，采用Trench技术，适用于电源管理模块、通信设备模块、汽车电子模块等领域。TO252；N—Channel沟道,200V；30A；RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRFR13N20DTRPBF-VB
- 商品编号
- C5438943
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 96W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品特性
- 沟槽型功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻（Rg）和非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合欧盟RoHS指令2011/65/EU
应用领域
- 或门二极管功能（OR-ing）
- 服务器
- 直流-直流（DC/DC）转换器
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