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MS33N20HGC0
1个N沟道 耐压:200V 电流:33A
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- 描述
- 低压大电流
- 品牌名称
- MASPOWER(麦思浦)
- 商品型号
- MS33N20HGC0
- 商品编号
- C5353695
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V,16A | |
| 耗散功率(Pd) | 180W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 158nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.85nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF@25V | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
- 沟槽功率中压MOSFET技术-电压控制小信号开关-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流
应用领域
- 电池供电系统-固态继电器-直接逻辑电平接口:TTL/CMOS