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MS12N100FS
1个N沟道 耐压:1000V 电流:12A
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- 描述
- 高压MOSFET
- 品牌名称
- MASPOWER(麦思浦)
- 商品型号
- MS12N100FS
- 商品编号
- C5353712
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.88克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 68W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.584nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 166pF |
商品概述
ME75N03是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理，以及其他需要高端开关和低在线功率损耗的电池供电电路，采用超小外形表面贴装封装。
商品特性
- 低栅极电荷
- 低Crss(典型值13pF)
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准的产品
应用领域
-高频开关模式电源-基于半桥的电子镇流器-LED电源