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MS15N100HGT1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MS15N100HGT1

1个N沟道 耐压:1kV 电流:15A

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描述
高压MOSFET
商品型号
MS15N100HGT1
商品编号
C5353715
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
2.9克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1kV
连续漏极电流(Id)15A
导通电阻(RDS(on))900mΩ@10V
耗散功率(Pd)67.9W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))5V@250uA
栅极电荷量(Qg)44nC@10V
输入电容(Ciss)1.846nF
反向传输电容(Crss)10pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)191pF

商品特性

  • 漏源电压(V) = 650 V
  • 漏极电流 = 7 A
  • 导通电阻 ≤ 1.4Ω(栅源电压 = 10V)

数据手册PDF