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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MS10N120HGE0

耐压:1.2kV 电流:10A

描述
超高压MOSFET 场效应管
商品型号
MS10N120HGE0
商品编号
C5353718
商品封装
TO-263​
包装方式
盒装
商品毛重
2.902克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on))2Ω@10V
耗散功率(Pd)67.9W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))5.5V
栅极电荷量(Qg)60nC@10V
输入电容(Ciss)1.25nF
反向传输电容(Crss)150pF
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF