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MS12N150HGC0实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MS12N150HGC0

耐压:1.5kV 电流:12A

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描述
超高压MOSFET
商品型号
MS12N150HGC0
商品编号
C5353719
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
8.06克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1.5kV
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))1.3Ω@10V
耗散功率(Pd)860W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))5.5V
栅极电荷量(Qg)97nC@10V
输入电容(Ciss)4.874nF
反向传输电容(Crss)20pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)310pF

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 1500 V,漏极电流(ID) = 12 A
  • 栅源电压(VGS) = 10 V 时,导通电阻(RDS(on)) < 1.8 Ω
  • 采用高密度单元设计,实现超低导通电阻(Rdson)
  • 栅极电荷低
  • 改善了电压变化率(dv/dt)能力
  • 符合 RoHS 标准的产品

应用领域

  • 高压开关模式和谐振模式电源
  • 高压脉冲功率应用
  • 激光脉冲发生器、火花点火器、射频发生器中的高压放电电路
  • 高压直流 - 直流转换器
  • 高压直流 - 交流逆变器

数据手册PDF