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MS3N100HGD0
1个N沟道 耐压:1000V 电流:3A
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- 描述
- 高压MOS管 单管
- 品牌名称
- MASPOWER(麦思浦)
- 商品型号
- MS3N100HGD0
- 商品编号
- C5353709
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 390pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 栅极电压(Vgs) | - |
商品特性
- 低栅极电荷（典型值22nC）
- 低Crss（典型值10pF）
- 100%雪崩测试
- 快速开关
- 改进的dv/dt能力
- TO-252 G封装
应用领域
- 开关应用