立创商城logo
购物车0
MS100N20HGC0实物图
  • MS100N20HGC0商品缩略图
  • MS100N20HGC0商品缩略图
  • MS100N20HGC0商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MS100N20HGC0

1个N沟道 耐压:200V 电流:100A

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
描述
低压大电流
商品型号
MS100N20HGC0
商品编号
C5353698
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
7.8克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))38mΩ@10V
耗散功率(Pd)300W
阈值电压(Vgs(th))4.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)123nC@10V
输入电容(Ciss)4.4nF
反向传输电容(Crss)78pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)734pF

数据手册PDF