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MS120N25HGC0
1个N沟道 耐压:250V 电流:120A
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- 描述
- 低压大电流MOSFET
- 品牌名称
- MASPOWER(麦思浦)
- 商品型号
- MS120N25HGC0
- 商品编号
- C5353700
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.65克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V,60A | |
| 耗散功率(Pd) | 375W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.5nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF@125V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 200 V，漏极电流（ID） = 100 A
- 栅源电压（VGS） = 10 V时，导通电阻（RDS(on)） = 23 mΩ
- 采用高密度单元设计，实现超低导通电阻（Rdson）
- 栅极电荷低
- 改善了电压变化率（dv/dt）能力
- 符合RoHS标准的产品
应用领域
- 逆变器系统的电源管理