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MS140N30HGB3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MS140N30HGB3

1个N沟道 耐压:300V 电流:140A

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描述
低压大电流MOSFET
商品型号
MS140N30HGB3
商品编号
C5353701
商品封装
TO-264​
包装方式
管装
商品毛重
11.73克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)300V
连续漏极电流(Id)140A
导通电阻(RDS(on))27mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.04kW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)185nC@10V
输入电容(Ciss)14.8nF
反向传输电容(Crss)55pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 300 V,漏极电流(ID) = 140 A
  • 栅源电压(VGS) = 10 V 时,导通电阻(RDS(on)) < 32 mΩ
  • 采用高密度单元设计,实现超低导通电阻(Rdson)
  • 栅极电荷低
  • 改善了 dv/dt 能力
  • 符合 RoHS 标准的产品
  • TO - 264 封装

应用领域

  • 功率开关应用
  • 电信和工业领域的隔离式 DC/DC 转换器
  • DC/DC 转换器中的同步整流

数据手册PDF