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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MS100N20IDC0

1个N沟道 耐压:200V 电流:100A

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描述
低压大电流
商品型号
MS100N20IDC0
商品编号
C5353699
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
7.79克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))23mΩ@10V,50A
耗散功率(Pd)375W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)130nC@10V
输入电容(Ciss)5.871nF@25V
反向传输电容(Crss)165pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 先进工艺技术
  • 动态dv/dt额定值
  • 175°C工作温度
  • 快速开关
  • 完全雪崩额定
  • 易于并联
  • 简单的驱动要求

应用领域

  • 高效开关模式电源

数据手册PDF