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ILQ621GB-X017T实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ILQ621GB-X017T

光电耦合器,光电晶体管输出(双通道、四通道)

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描述
多通道光电晶体管光耦合器使用GaAs红外发光二极管发射器和高增益NPN硅光电晶体管。这些器件采用双模绝缘技术制造,该组装过程可承受7500 VDC的测试电压。 ILD621GB/ILQ621GB在IF为1.0 mA时,CTR(CE Sat)最低为30%,非常适合CMOS接口。在5.0 mA时,最低CTR(CE)为100%,可保证高增益线性工作。ILD/Q621在5.0 mA时,保证CTR(CE)最低为50%。透明离子屏蔽可确保在存在恒定直流VIO电压的应用(如电源反馈电路)中实现稳定的直流增益。
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
ILQ621GB-X017T
商品编号
C5353621
商品封装
SMD-16P​
包装方式
编带
商品毛重
1.57克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录晶体管输出光耦
输入类型DC
输出类型光电三极管
正向压降(Vf)1.15V
输出电流100mA
隔离电压(Vrms)5.3kV
直流反向耐压(Vr)6V
负载电压70V
属性参数值
输出通道数4
集射极饱和电压(VCE(sat))400mV@8mA,2.4mA
上升时间(tr)2us
下降时间11us
工作温度-55℃~+100℃
电流传输比(CTR)最小值30%
电流传输比(CTR)最大值/饱和值600%
正向电流(If)60mA

商品概述

ILD621/ILQ621和ILD621GB/ILQ621GB是多通道光电晶体管光耦合器,采用GaAs红外发光二极管发射器和高增益NPN硅光电晶体管。这些器件采用双模绝缘技术制造。这种组装工艺可承受7500 VDC的耐压测试电压。 鉴于在1.0 mA的IF电流下,CTRCEsat最小值为30%,ILD621/ILQ621GB非常适合用于CMOS接口。在5.0 mA电流下,CTRCE最小值为100%,可确保高增益线性工作。ILD/Q621在5.0 mA电流下,CTRcE最小值保证为50%。透明离子屏蔽可确保在存在恒定直流电压的应用(如电源反馈电路)中,直流增益稳定。

商品特性

  • 可替代TLP621 - 2/-4和TLP621GB - 2/-4的无铅产品
  • 集电极 - 发射极电压高,BVCEO = 70 V
  • 双通道和四通道封装特点: - 引脚和元件数量更少,符合RoHS标准 - 通道间CTR匹配更好 - 共模抑制性能提高
  • 隔离测试电压为5300 VRMS
  • 无铅元件
  • 元件符合RoHS 2002/95/EC和WEEE 2002/96/EC标准

数据手册PDF

优惠活动

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(750个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个750个/圆盘

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