温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TNM01K20CX
1个N沟道 耐压:20V 电流:900mA
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- 晶扬电子
- 商品型号
- TNM01K20CX
- 商品编号
- C5307986
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 900mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@4.5V；300mΩ@2.5V；400mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 43pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 9pF |
商品概述
UTC 4N90C 是一款功率 MOSFET 结构器件，旨在具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。该功率 MOSFET 通常用于电力应用的 AC-DC 转换器中。
商品特性
- 沟槽场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET:额定电压1.8 V
- 栅源极静电放电保护
- 高端开关
- 低导通电阻:0.4 Ω(最大值)
- 低阈值:0.7 V(典型值)
- 快速开关速度:10 ns
- 适用于汽车及其他需要SOT - 723封装的应用的S前缀型号
- 易于驱动开关
- 低失调(误差)电压
- 低电压运行
- 高速电路
- 低电池电压运行
应用领域
- 驱动器:继电器、螺线管、灯、锤击器、显示器、存储器
- 电池供电系统
- 电源转换电路
- 负载/电源开关:手机、寻呼机