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TNM03K20BX
1个N沟道 耐压:20V 电流:1.2A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET，额定1.8V。 栅源ESD保护。 高端开关。 低导通电阻：0.4Ω/mΩ。 低阈值：0.7V（典型值）。 快速开关速度：10 ns。应用：驱动器：继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器。 电池供电系统
- 品牌名称
- 晶扬电子
- 商品型号
- TNM03K20BX
- 商品编号
- C5307988
- 商品封装
- DFN1006-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.013克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@1.8V,0.35A | |
| 耗散功率(Pd) | 160mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 43pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 9pF |
商品概述
这款小信号沟槽 MOSFET 具有低导通电阻、低栅极电荷和静电放电（ESD）保护特性。它主要适用于电池供电系统和直接逻辑电平接口应用。
商品特性
- 漏源极电压（VDSS） = 60 V，漏极电流（ID） = 0.3 A
- 漏源导通电阻：RDS(ON)（最大值） = 2.2 Ω @ 栅源电压（VGS） = 10V
- 静电放电保护：2KV
应用领域
- 电池供电系统
- 直接逻辑电平接口
- 电压控制小信号开关