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JY2305X
1个P沟道 耐压:20V 电流:4.2A
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- 描述
- 这些微型表面贴装MOSFET采用高单元密度工艺。低RDS(on)可确保最小的功率损耗并节约能源，使其非常适合用于电源管理电路。典型应用包括低电压应用、便携式和电池供电产品（如计算机、打印机和PCMCIA卡、蜂窝和无绳电话）中的电源管理。
- 品牌名称
- 晶扬电子
- 商品型号
- JY2305X
- 商品编号
- C5307997
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.38W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 126pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 167pF |
商品概述
UTC 11NM65 是一款超结 MOSFET 结构器件。它采用 UTC 先进的平面条形 DMOS 技术，为客户提供出色的开关性能和极低的导通电阻。 UTC 11NM65 广泛应用于基于半桥拓扑的电子灯镇流器、高效开关模式电源、有源功率因数校正等领域。
商品特性
- 低导通电阻RDS(on),可提高效率并延长电池寿命
- 低热阻铜引脚框架SOT - 23封装,节省电路板空间
- 开关速度快
- 高性能沟槽技术
- 符合RoHS、无铅、无卤标准
应用领域
- 低电压应用
- 便携式和电池供电产品(如计算机、打印机和PCMCIA卡、移动电话和无绳电话)的电源管理