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4953
2个P沟道 耐压:30V 电流:4.9A
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- 描述
- 这些微型表面贴装MOSFET采用高单元密度沟槽工艺，以实现低导通电阻（RDS(on)），并确保将功率损耗和散热降至最低。典型应用包括便携式和电池供电产品（如计算机、打印机和PCMCIA卡、移动电话和无绳电话）中的DC-DC转换器和电源管理。
- 品牌名称
- 晶扬电子
- 商品型号
- 4953
- 商品编号
- C5307998
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.21克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V,4.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 745pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
UTC 18NM65是一款高压超结MOSFET，旨在具备更优特性。 UTC 18NM65采用先进的电荷平衡技术，可提高系统效率、改善电磁干扰（EMI）性能并增强可靠性。它具有低栅极电荷、低导通电阻的特点，拥有高功率密度和高抗雪崩特性。这款超结MOSFET通常用于AC/DC电源转换和工业电源应用。
商品特性
- 漏源导通电阻RDS(ON) ≤ 0.33 Ω（在栅源电压VGS = 10V、漏极电流ID = 9.0A时）
- 快速开关能力
- 规定雪崩能量
- 改善的dv/dt能力，高耐用性
应用领域
- AC/DC电源转换
- 工业电源应用
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