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TPM04K20BX
1个P沟道 耐压:20V 电流:0.5A
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- 描述
- P沟道增强型MOSFET晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可实现出色的导通电阻RDS(ON)，且栅极电荷低。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路
- 品牌名称
- 晶扬电子
- 商品型号
- TPM04K20BX
- 商品编号
- C5307994
- 商品封装
- DFN1006-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.013克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 345mΩ@4.5V,0.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 900pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 74.5pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10.2pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+155℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 10.8pF |
商品概述
AGM035N10A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低漏源导通电阻（RDS(ON)），可最大程度降低传导损耗
- 低栅极电荷，可实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
-主板/显卡核心电压-开关电源二次侧同步整流器-负载点应用-无刷直流电机驱动器